Preview

Российский технологический журнал

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Лавров П.П. ВЛИЯНИЕ НАРУШЕННЫХ СЛОЕВ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОНДЕНСАТОРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК. Российский технологический журнал. 2016;4(3):18-26. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2016-4-3-18-26

For citation:


Lavrov P.P. INFLUENCE OF DISTURBED LAYERS ON THE DIELECTRIC PROPERTIES OF FERROELECTRIC THIN FILM CAPACITORS. Russian Technological Journal. 2016;4(3):18-26. (In Russ.) https://doi.org/10.32362/2500-316X-2016-4-3-18-26

Просмотров: 56


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2500-316X (Online)