Рассмотрены основные причины возникновения погрешностей при измерении уровня компонентов ракетного топлива частотными датчиками: скорость распространения волны, период модуляции, нелинейность амплитудно-частотной характеристики генератора и трактов, девиация частоты и разностная частота. Предложены варианты минимизации погрешностей. Приведены методы уменьшения влияния ошибки дискретности в частотно модулированных уровнемерах: адаптивное управление напряжением модуляции, введение дополнительной медленной модуляции несущей частоты, спектральный метод анализа.

В статье рассматриваются вопросы качества кристаллов в производстве микродисплеев на органических светоизлучающих диодах (ОСИД или OLED) после лазерного разделения. Данная работа направлена на увеличение выхода годных изделий при разрезании кремниевой приборной пластины на кристаллы методом лазерного управляемого термораскалывания (ЛУТ).

Конденсаторные сегнетоэлектрические структуры являются основой многих современных устройств микроэлектроники, в том числе энергонезависимой памяти, пьезоэлектрических микроактюаторов, датчиков и пр. Тенденция миниатюризации подобных устройств, требует уменьшения толщины сегнетоэлектрического слоя, что приводит к снижению важнейших характеристик сегнетоэлектрических структур, таких как диэлектрическая проницаемость, остаточная поляризация, температура Кюри и др. Подобные толщинные зависимости, как правило, интерпретируют в рамках модели «нарушенного слоя», предполагающей существование несегнетоэлектрических нарушенных, «мертвых» слоев постоянной толщины на границе сегнетоэлектрик-металл. В данной работе исследованы диэлектрические характеристики конденсаторных структур на основе плотных и пористых пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС) различной толщины. Проведено моделирование зависимостей диэлектрической проницаемости от толщины с учетом нарушенных слоев, определена оптимальная методика моделирования.

В работе проведено моделирование тепловых процессов терагерцового квантово-каскадного лазера (ТГц-ККЛ) на основе наногетероструктуры GaAs/AlGaAs с двойным металлическим волноводом методом конечных элементов в условиях постоянного и импульсного режимов питания. Получено распределение температуры в ТГц-ККЛ. Проведено моделирование ТГц-ККЛ с термокомпрессионным соединением наногетеро- структуры и подложки на основе In-Au, Au-Au и Cu-Cu. Получена зависимость максимальной температуры от ширины активной области ТГц-ККЛ. Исследованы температурные режимы лазера в зависимости от параметров импульсного режима питания.

В статье анализируется динамика социальной инженерии в информационном обществе (на примере социального программирования). Выявляются основные механизмы воздействия на личностные установки и общественное мнение, применяемые в социальном программировании, порождающие антропологические риски и ведущие к угрозе информационной безопасности.