Рассмотрены основные причины возникновения погрешностей при измерении уровня компонентов ракетного топлива частотными датчиками: скорость распространения волны, период модуляции, нелинейность амплитудно-частотной характеристики генератора и трактов, девиация частоты и разностная частота. Предложены варианты минимизации погрешностей. Приведены методы уменьшения влияния ошибки дискретности в частотно модулированных уровнемерах: адаптивное управление напряжением модуляции, введение дополнительной медленной модуляции несущей частоты, спектральный метод анализа.

В статье рассматриваются вопросы качества кристаллов в производстве микродисплеев на органических светоизлучающих диодах (ОСИД или OLED) после лазерного разделения. Данная работа направлена на увеличение выхода годных изделий при разрезании кремниевой приборной пластины на кристаллы методом лазерного управляемого термораскалывания (ЛУТ).

Конденсаторные сегнетоэлектрические структуры являются основой многих современных устройств микроэлектроники, в том числе энергонезависимой памяти, пьезоэлектрических микроактюаторов, датчиков и пр. Тенденция миниатюризации подобных устройств, требует уменьшения толщины сегнетоэлектрического слоя, что приводит к снижению важнейших характеристик сегнетоэлектрических структур, таких как диэлектрическая проницаемость, остаточная поляризация, температура Кюри и др. Подобные толщинные зависимости, как правило, интерпретируют в рамках модели «нарушенного слоя», предполагающей существование несегнетоэлектрических нарушенных, «мертвых» слоев постоянной толщины на границе сегнетоэлектрик-металл. В данной работе исследованы диэлектрические характеристики конденсаторных структур на основе плотных и пористых пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС) различной толщины. Проведено моделирование зависимостей диэлектрической проницаемости от толщины с учетом нарушенных слоев, определена оптимальная методика моделирования.

В работе проведено моделирование тепловых процессов терагерцового квантово-каскадного лазера (ТГц-ККЛ) на основе наногетероструктуры GaAs/AlGaAs с двойным металлическим волноводом методом конечных элементов в условиях постоянного и импульсного режимов питания. Получено распределение температуры в ТГц-ККЛ. Проведено моделирование ТГц-ККЛ с термокомпрессионным соединением наногетеро- структуры и подложки на основе In-Au, Au-Au и Cu-Cu. Получена зависимость максимальной температуры от ширины активной области ТГц-ККЛ. Исследованы температурные режимы лазера в зависимости от параметров импульсного режима питания.

Создан автоматизированный стенд для изучения характеристик микросхем различных видов мобильных источников стабилизированного вторичного электропитания с накачкой заряда, получающих энергию от батарей. Стенд имеет модульную структуру, включающую, помимо исследуемого модуля накачки заряда, также модули питания, управления, нагрузки, индикации и модуль USB для связи с компьютером. Стенд позволяет путем замены лишь одной маленькой измерительной платы проводить исследования микросхем различных типов. Управляющий модуль построен на базе микроконтроллера PIC18F2550. В состав автоматизированного измерительного комплекса входят мультиметр и осциллограф. Исследуемыми параметрами являются нагрузочные и регулировочные характеристики, формы пульсаций выходного напряжения, реакция микросхем на ступенчатое отключение нагрузки. Одной из важнейших целей исследований является изучение алгоритмов работы микросхем накачки заряда. Разработана программа управления стендом путем создания его виртуальной передней панели, что вместе с виртуальной панелью осциллографа и имеющимся программным обеспечением мультиметра позволяет управлять режимами работы оборудования и проведением измерений дистанционно при удаленном доступе по сети Интернет. С помощью созданного стенда получены новые экспериментальные данные для микросхемы MAX1759 по всем указанным выше характеристикам и впервые изучен алгоритм работы этой микросхемы в режиме понижения напряжения.

В статье анализируется динамика социальной инженерии в информационном обществе (на примере социального программирования). Выявляются основные механизмы воздействия на личностные установки и общественное мнение, применяемые в социальном программировании, порождающие антропологические риски и ведущие к угрозе информационной безопасности.

В условиях промышленного производства для получения прибыли необходимо, чтобы в единицу времени производилось как можно больше продукции. В этом отношении для предпринимателя техника предпочтительнее, чем человек, поскольку ее «не беспокоит», насколько деградирует природная среда после ее использования. Это означает, что вектор технологического развития, мотивируемый прибылью, оказывается не связанным с сохранением природной среды, пригодной для человека. Для преодоления этой направленности необходимо, чтобы экономическая мотивация использования новых технологий не допускала экологически негативных последствий их внедрения. Но этого не происходит в условиях рыночной экономики. Сегодня справедливо причину экологических проблем связывают с техникой и технологиями, разработанными на основе достижений современной науки. Но, при этом нельзя подразумевать лишь комплекс инженерного и естественнонаучного знания. Значительная доля ответственности ложится на гуманитарные, в том числе - и на экономические дисциплины. Для экологической безопасности производства необходима разработка теории экономики, ориентирующей техническое развитие на согласование с законами природной среды, сохраняющими ее жизнепригодность для человека. В статье рассматривается, как теория рыночной экономики изначально обусловливает рассогласование техногенеза и экоразвития, чем и определяет неизбежность появления экологических проблем. Для согласования техногенеза с экоразвитием и перехода к экологически устойчивому развитию необходим отказ от рыночной экономики, поскольку это позволит ввести институт «долговременной экономической ответственности за экологический ущерб» и, привлекая естественнонаучные знания, учитывать изменения эффективности природопользования на основе прогнозов циклических изменений в биосфере.