Preview

Russian Technological Journal

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Миннебаев В.М. Тепловые и механические механизмы деградаций в гетероструктурных полевых транзисторах на нитриде галлия. Russian Technological Journal. 2025;13(2):57-73. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2025-13-2-57-73. EDN: TTUFNR

For citation:


Minnebaev V.M. Thermal and mechanical degradation mechanisms in heterostructural field-effect transistors based on gallium nitride. Russian Technological Journal. 2025;13(2):57-73. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2025-13-2-57-73. EDN: TTUFNR

Просмотров PDF (Rus): 52
Просмотров PDF (Eng): 23


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2782-3210 (Print)
ISSN 2500-316X (Online)