Preview

Russian Technological Journal

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Гуськов А.А., Безвиконный Н.В., Лавров С.Д. Конфигурация Кречмана как метод увеличения оптического поглощения в двумерных графеноподобных полупроводниках. Russian Technological Journal. 2024;12(4):96–105. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2024-12-4-96-105. EDN: ZZDBRB

For citation:


Guskov A.А., Bezvikonnyi N.V., Lavrov S.D. Kretschmann configuration as a method to enhance optical absorption in two-dimensional graphene-like semiconductors. Russian Technological Journal. 2024;12(4):96–105. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2024-12-4-96-105. EDN: ZZDBRB

Просмотров PDF (Rus): 120
Просмотров PDF (Eng): 86


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2782-3210 (Print)
ISSN 2500-316X (Online)