Сигов Александр Сергеевич — академик Российской академии наук (РАН), доктор физико-математических наук, профессор, президент МИРЭА – Российского технологического университета (Россия, 119454, Москва, проспект Вернадского, д. 78). 

Hirsch-Index 21 (Scopus, декабрь 2022)

Scopus Author ID 35557510600

ResearcherID L-4103-2017

E-mail: sigov@mirea.ru

Tел: +7 499 600-80-80 доб. 25050 

Академическая карьера

• В 1968 г. А.С. Сигов окончил с отличием физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова по кафедре квантовой теории.
• В 1971 г. он окончил аспирантуру физфака МГУ и был распределен в МИРЭА, где и работает по настоящее время.
• В 1972 г. А.С. Сигов защитил кандидатскую диссертацию «Статические и динамические свойства доменных границ с поперечными связями в тонких ферромагнитных пленках».
• В 1985 г. он защитил докторскую диссертацию «Влияние дефектов на физические свойства кристаллов вблизи структурных и магнитных фазовых переходов».
• В 1988 г. А.С. Сигову было присвоено звание профессора.
• С 1989 г. А.С. Сигов – заведующий кафедрой физики конденсированного состояния МИРЭА.
• С 1985 по 1998 гг. он избирался деканом факультета электроники и оптоэлектронной техники МИРЭА
• С мая 1998 по июнь 2013 г. А.С. Сигов являлся ректором МИРЭА.
• В 2006 г. А.С. Сигов избран членом-корреспондентом РАН по Отделению информационных технологий и вычислительных систем РАН по специальности «Информационные системы и элементная база».
• В 2011 г. А.С. Сигов избран действительным членом Российской академии наук
• C июня 2013 г. по настоящее время А.С. Сигов является Президентом РТУ МИРЭА.

Научные интересы

Александр Сергеевич Си́гов — специалист в области физики твердого тела, твердотельной электроники и физического материаловедения.

Научные интересы А.С. Сигова связаны с исследованием физических свойств систем с пониженной размерностью и/или структурным беспорядком и создание на их основе функциональных устройств нано-, микроэлектроники.

А.С. Сигов является членом Научного совета при Совете Безопасности РФ, председателем Научного совета РАН по физике сегнетоэлектриков и диэлектриков, членом бюро объединенного совета РАН по физике конденсированных сред, членом Европейского физического общества, IEEE, Института инженерии и технологий (IET).

Публикации и преподавательская деятельность

А.С. Сигов является автором и соавтором более 400 научных трудов, 18 монографий и учебников, 34 изобретений.

А.С. Сигов является главным редактором научных журналов «Электроника», «Наноматериалы и наноструктуры», «Russian Technological Journal», заместителем главного редактора журнала «Integrated Ferroelectrics» (США), «Ferroelectrics» (США), входит в состав редакционных коллегий и советов международных и российских журналов: «Известия РАН. Серия физическая», «Нано- и микросистемная техника», «Успехи прикладной физики», «Инженерное образование», «Фотоника», «Тонкие химические технологии», «Известия вузов. Электроника», «Вестник РФФИ» и многих других.

Под руководством А.С. Сигова защищено 25 кандидатских диссертаций, 17 его учеников стали докторами наук.

Награды

А.С. Сигов был удостоен многочисленных наград, среди которых:

• 1997 Звание заслуженного деятеля науки Российской Федерации — за заслуги перед государством и многолетнюю плодотворную работу по подготовке высококвалифицированных специалистов и научных кадров;
• 2003 Государственная премия Российской Федерации в области науки и техники — за работу «Научно-технические основы создания многокомпонентных материалов и групповых технологий холодного и горячего плакирования»;
• 2003 Премия имени М. В. Ломоносова в области науки и образования;
• 2006 Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени — за большой вклад в развитие образования и науки;
• 2008 Премия Правительства Российской Федерации в области образования — за научно-практическую разработку «Методология формирования активной жизненной позиции учащейся молодежи в условиях перехода России на путь устойчивого развития» для непрерывного образования;
• 2011 Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники — за разработку эффективных алгоритмов обработки информации и создание отказоустойчивых интегрированных вычислительных комплексов, устройств и компонентов для бортовых систем обеспечения безопасности функционирования летательных аппаратов;
• 2016 Орден Почета — за большой вклад в развитие науки, образования, подготовку квалифицированных специалистов и многолетнюю добросовестную работу.
• А.С. Сигов награжден медалью и дипломом ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий».