Preview

Российский технологический журнал

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Бабенко В.П., Битюков В.К., Кузнецов В.В., Симачков Д.С. МОДЕЛИРОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ В MOSFET-КЛЮЧАХ. Российский технологический журнал. 2018;6(1):20-39. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2018-6-1-20-39

For citation:


Babenko V.P., Bityukov V.K., Kuznetsov V.V., Simachkov D.S. SIMULATION OF STATIC AND DYNAMIC LOSSES IN MOSFET KEYS. Russian Technological Journal. 2018;6(1):20-39. (In Russ.) https://doi.org/10.32362/2500-316X-2018-6-1-20-39

Просмотров: 232


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2500-316X (Online)