МОДЕЛЬ ЛОКАЛЬНОГО ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ ПЛАТИНЫ СФОКУСИРОВАННЫМ ПУЧКОМ ИОНОВ
Аннотация
Об авторах
Д. Г. ЛапинРоссия
И. С. Овчинников
Россия
Список литературы
1. Bassim N., Scott K., Lucille A. Recent advances in focused ion beam technology and applications // Mater. Res. Soc. 2014. V. 39. P. 317-325.
2. Utke I., Hoffmann P., Melngailis J. Gas-assisted focused electron beam and ion beam processing and fabrication // J. Vacuum Sci. & Technol. 2008. V. 26. P. 1197-1276.
3. Lundquist T., Thompson M. Circuit Edit at First Silicon // Microelectronics Failure Analysis. Desk Reference Sixth Edition. 2011. P. 594-606.
4. Боргардт Н.И., Волков Р.Л., Румянцев А.В., Чаплыгин Ю.А. Моделирование распыления материалов фокусированным ионным пучком // Письма в ЖТФ. 2015. № 12. С. 97-104.
5. Dai J., Chang H., Maeda E., Warisawa S., Kometani R. Approaching the resolution limit of W-C nano-gaps using focused ion beam chemical vapour deposition // Appl. Surface Sci. 2017. V. 427. P. 422-427.
6. Rüdenauer F., Mozdzen G., Costin W., Semerad E. Quantitative model of FIB deposition // Adv. Eng. Mater. 2007. V. 9. P. 708-711.
7. Ertl O., Filipovic L., Selberherr S. Three-dimensional simulation of focused ion beam processing using the level set method // Proceed. of the Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2010 (SISPAD 2010), Bologna, Italy, 6-8 September, 2010. IEEE, 2010. P. 49-52.
Рецензия
Для цитирования:
Лапин Д.Г., Овчинников И.С. МОДЕЛЬ ЛОКАЛЬНОГО ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ ПЛАТИНЫ СФОКУСИРОВАННЫМ ПУЧКОМ ИОНОВ. Russian Technological Journal. 2017;5(6):34-42. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2017-5-6-34-42
For citation:
Lapin D.G., Ovchinnikov I.S. МОДЕЛЬ ЛОКАЛЬНОГО ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ ПЛАТИНЫ СФОКУСИРОВАННЫМ ПУЧКОМ ИОНОВ. Russian Technological Journal. 2017;5(6):34-42. (In Russ.) https://doi.org/10.32362/2500-316X-2017-5-6-34-42