МОДЕЛЬ ЛОКАЛЬНОГО ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ ПЛАТИНЫ СФОКУСИРОВАННЫМ ПУЧКОМ ИОНОВ

Аннотация

В работе проанализированы проблемные вопрос, связанные с протеканием процесса локального ионно-лучевого осаждения материала из газовой фазы. Проведенными исследованиями установлено, что при ионно-лучевом осаждении материала из газовой фазы возникает эффект перераспыления, на который значительное влияние оказывает время экспонирования и ток первичного пучка ионов. Обоснована необходимость моделирования процесса ионно-лучевого осаждения, имеющая целью снижение величины области перераспыления. Показано, что существующие модели не учитывают все технологические параметры, оказывающие влияние на процесс локального ионно-лучевого осаждения. Нами предложена уточненная математическая модель прогнозирования скорости осаждения платины из газовой фазы посредством сфокусированного пучка ионов, которая учитывает такой технологический параметр, как величина области перекрытия первичного пучка ионов. На основании проведенного моделирования выявлено, что при увеличении области перекрытия пучка увеличивается скорость осаждения. Найдены значения области перекрытия, при которых процесс осаждения переходит в процесс травления, и получена зависимость, характеризующая ток и область перекрытия пучка, обеспечивающие максимальную скорость осаждения. Показано, что при осаждении структур на максимальной скорости осаждения, определенной при моделировании, величина области перераспыления снижается.