Для цитирования:
Ячменев А.Э., Рыжий В.И., Мальцев П.П. ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ ПРИБОРА PHEMT НА ОСНОВЕ GaAs С ПОМОЩЬЮ ПРОФИЛИРОВАННОГО ДЕЛЬТА-ЛЕГИРОВАНИЯ ОЛОВОМ. Russian Technological Journal. 2017;5(2):40-46. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2017-5-2-40-46
For citation:
Yachmenev A.E., Ryzhii V.I., Maltsev P.P. GaAs PHEMT PERFORMANCE INCREASE USING DELTA-DOPING IN THE FORM OF NANOWIRES OF TIN ATOMS. Russian Technological Journal. 2017;5(2):40-46. (In Russ.) https://doi.org/10.32362/2500-316X-2017-5-2-40-46
Послать статью по эл. почте 