Preview

Российский технологический журнал

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Ячменев А.Э., Рыжий В.И., Мальцев П.П. ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ ПРИБОРА PHEMT НА ОСНОВЕ GaAs С ПОМОЩЬЮ ПРОФИЛИРОВАННОГО ДЕЛЬТА-ЛЕГИРОВАНИЯ ОЛОВОМ. Российский технологический журнал. 2017;5(2):40-46. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2017-5-2-40-46

For citation:


Yachmenev A.E., Ryzhii V.I., Maltsev P.P. GaAs PHEMT PERFORMANCE INCREASE USING DELTA-DOPING IN THE FORM OF NANOWIRES OF TIN ATOMS. Russian Technological Journal. 2017;5(2):40-46. (In Russ.) https://doi.org/10.32362/2500-316X-2017-5-2-40-46

Просмотров: 24


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2500-316X (Online)