Preview

Российский технологический журнал

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Крапухин Д.В., Мальцев П.П. МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ НА НИТРИДЕ ГАЛЛИЯ ДЛЯ ДИАПАЗОНА 57-64 ГГц. Российский технологический журнал. 2016;4(4):42-53. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2016-4-4-42-53

For citation:


Krapukhin D.V., Maltsev P.P. MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT OF GаN LOW-NOISE AMPLIFIER FOR 57-64 GHz BANDWIDTH. Russian Technological Journal. 2016;4(4):42-53. (In Russ.) https://doi.org/10.32362/2500-316X-2016-4-4-42-53

Просмотров: 38


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2500-316X (Online)