Радиационная стойкость эпитаксиальных структур на основе GaAs
https://doi.org/10.32362/2500-316X-2019-7-3-41-49
Аннотация
В настоящей работе представлены результаты исследования облучения гетероструктур на основе арсенида галлия нейтронами и гамма-квантами. В качестве источника нейтронов служил горизонтальный канал реактора ИРТ-2000 с энергией 2.65 МэВ. Рассматривали два типа структур: автоэпитаксиальные (АЭС) и гетероэпитаксиальные (ГЭС), полученные МОС-гидридным методом при пониженном давлении с использованием металлорганических соединений галлия и алюминия и арсина. Полученные результаты показали, что при облучении нейтронами и гамма-квантами концентрация носителей заряда автоэпитаксиальных структур и плотность носителей заряда гетероэпитаксиальных структур изменяется незначительно. Что касается подвижности носителей заряда, то в начальный момент при облучении наблюдается некоторое увеличение подвижности носителей заряда. Далее по мере увеличения плотности потока облучения подвижность или стабилизируется на определенном уровне, или уменьшается. Факт увеличения подвижности после первого облучения гетероструктур свидетельствует об увеличении времени жизни носителей заряда, по-видимому, вследствие уменьшения в структурах концентрации центров рекомбинации, вероятнее всего, плотности структурных дефектов на гетрограницах. При облучении быстрыми нейтронами наблюдается аналогичная картина: первоначально подвижность носителей заряда несколько увеличивается при небольшом изменении концентрации носителей заряда, затем характеристики стабилизируются. Наблюдается повышение однородности свойств по площади структур. Высказано предположение, что это связано с возникновением кластеров дефектов и примесей.
Об авторе
Е. Н. Вигдорович
МИРЭА – Российский технологический университет
Россия
Россия
доктор технических наук, профессор кафедры оптических и биотехнических систем и технологий Физико-технологического института
Россия, 107996, Москва, ул. Стромынка, д. 20
Список литературы
1. Ячменев А.Э., Рыжый В.И., Мальцев П.П., Повышение быстродействия прибора PHEMT на основе GaAs с помощью профилированного дельта-легирования оловом // Российский технологический журнал. 2017. Т. 5. № 2. С. 40–46.
2. Глинский И.А., Зенчиков Н.В., Мальцев П.П. Тепловое моделирование терагерцового квантово-каскадного лазера на основе наногетероструктуры GaAs/AlGaAs // Российский технологический журнал. 2016. Т. 4 № 3. C. 27–36.
3. Уваров Е.Ф. Радиационные эффекты в широкозонных полупроводниках AШBV. М.: Изд-во ЦНИИ Электроника, 1978. 77 с. – Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 13.
4. Аствацатурьян Е.Р., Громов Д.В., Елесин В.В. [и др.] Радиационные эффекты в GaAs-полупроводниковых приборах и интегральных схемах // Зарубежная электронная техника. 1988. № 1. С. 48–85.
5. Оболенский С.В. Определение электрофизических констант GaAs при радиационном воздействии // Труды 2-го совещания по проекту НАТО SfP-973799 Semiconductor. Нижний Новгород, 2002. С. 146–154.
6. Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники. М.: Техносфера, 2018. 488 с.
7. Вигдорович Е.Н., Рыжиков И.В. Влияние облучения на свойства гетероструктур AlInGaN // Тезисы докладов 11-й Всерос. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». Москва, 1-3 февраля 2017. С. 102–103.
8. Кондратенко В.С., Абдулаев О.Р., Рыжиков И.В., Виноградов В.С., Фирсов А.С. Сравнительные исследования воздействия проникающей радиации на светодиоды нового поколения на основе AlGaInP и AlInGaN гетероструктур // Приборы. 2009. № 3(105). C. 41–49.
9. Градобоев А.В., Орлова К.Н., Асанов И.А. Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами // Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2013. № 2. C. 64–66.
10. Градобоев A.B., Рубанов П.В. Деградация светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs при облучении электронами // Изв. вузов. Физика. 2011. Т. 54. № 1/2. С. 195–197.
11. Градобоев A.B., Рубанов П.В., Скакова И.М. Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами // Изв. вузов. Физика. 2011. Т. 54. № 1/2. С. 190–194.
12. Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Миленин В.В., Свешников Ю.Н., Шеремет В.Н. Радиационные повреждения контактных структур с диффузионными барьерами, подвергнутых γ-облучению 60Co // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. № 4. С. 467–475.
Дополнительные файлы
|
|
1. Рис. 1. Изменение подвижности носителей заряда в автоэпитаксиальных структурах от нейтронной обработки: 1, 2, 3 – номер партии. | |
| Тема | ||
| Тип | Research Instrument | |
Посмотреть
(136KB)
|
Метаданные ▾ | |
Рецензия
Для цитирования:
Вигдорович Е.Н. Радиационная стойкость эпитаксиальных структур на основе GaAs. Russian Technological Journal. 2019;7(3):41-49. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2019-7-3-41-49
For citation:
Vigdorovich E.N. Radiation Resistance of Epitaxial Structures Based on GaAs. Russian Technological Journal. 2019;7(3):41-49. (In Russ.) https://doi.org/10.32362/2500-316X-2019-7-3-41-49
Просмотров:
774
Послать статью по эл. почте 