Preview

Российский технологический журнал

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Вигдорович Е.Н. Радиационная стойкость эпитаксиальных структур на основе GaAs. Российский технологический журнал. 2019;7(3):41-49. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2019-7-3-41-49

For citation:


Vigdorovich E.N. Radiation Resistance of Epitaxial Structures Based on GaAs. Russian Technological Journal. 2019;7(3):41-49. (In Russ.) https://doi.org/10.32362/2500-316X-2019-7-3-41-49

Просмотров: 184


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2500-316X (Online)