Стенд для исследования позиционно-чувствительного фотоприемника
https://doi.org/10.32362/2500-316X-2019-7-3-69-76
Аннотация
Об авторах
В. И. Чукита
Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко
Россия
Россия
старший преподаватель кафедры твердотельной электроники и микроэлектроники,
MD -3300, ПМР, Тирасполь, ул. 25 Октября, д. 128
Э. А. Сенокосов
Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко
Россия
Россия
доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой твердотельной электроники и микроэлектроники
MD-3300, ПМР, Тирасполь, ул. 25 Октября, д. 128
В. С. Фещенко
ООО «Производственно-технологический центр «УралАлмазИнвест»
Россия
Россия
доктор технических наук, доцент, начальник научно-производственной лаборатории № 1
121108, Россия, Москва, ул. Ивана Франко, д. 4
Список литературы
1. Dorf R.C., Bishop R.H. Modern Control Systems. New Jersey: Prentice Hall, Inc., 2017. 1032 p.
2. Handbook of Optical Sensors / Eds. J.L. Santos, F. Farahi. Boca Raton: CRC Press, 2014. 718 p.
3. Горн Л.С., Хазанов Б.И. Позиционно-чувствительные детекторы. М.: Энергоиздат, 1982. 64 с.
4. Сенокосов Э.А., Чукита В.И., Хамидуллин Р.А., Чебан В.Н., Один И.Н., Чукичев М.В. Экспериментальное и теоретическое исследование характеристик позиционно-чувствительных фотоприемников на основе эпитаксиальных слоев n-CdSe/слюда // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. Вып. 5. С. 689–694. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44430.8406
5. Senokosov E.A., Chukita V.I., Khamidullin R.A., Cheban V.N., Odin I.N., Chukichev M.V. Position sensitivity characteristics of n-CdSe epitaxial layers grown on mica crystals in a quasi-clozed system // Inorg. Mater. 2016. V. 52. № 8. P. 762–764. DOI: 10.1134/S002016851608015X
6. Битюков В.К., Иванов А.А., Миронов А.В., Михневич Н.Г., Перфильев В.С., Петров В.А. Стенд для исследования характеристик микросхем источников вторичного электропитания с накачкой заряда // Российский технологический журнал. 2016. Т. 4. № 3. С. 37–52.
7. Бугадян И.Ф., Дубровин В.Ф. Автоматизированный стенд для исследования волновых процессов // Вестник МГТУ МИРЭА. 2014. № 4. С. 223–237.
8. Бараночников М.Л. Приемники и детекторы излучения. Справочник. М.: ДМК Пресс, 2012. 640 с.
9. Сенокосов Э.А., Клюканов А.А., Усатый А.Н., Сергеев С.А., Федоров В.М. Устройство для регистрации слабых световых сигналов: А.с. СССР № 1436796, приоритет от 12.08.86, опубл. 08.07.88.
10. Клюканов А.А., Сенокосов Э.А., Усатый А.Н., Федоров В.М. Устройство для определения координаты светового пятна: А.c. СССР № 1499119, приоритет от 07.01.87, опубл. 07.08.89.
Дополнительные файлы
|
|
1. Рис. 2. Экспериментальная зависимость напряжения UBD = f(r00) при Iвх = 3.0 мкА и θ = π/4 (кривая 1) и теоретические зависимости напряжения UBD = f(r00) при Iвх = 3.0, 2.0, 1.0 мкА и θ = π/4 (соответственно кривые 2, 3, 4). | |
| Тема | ||
| Тип | Research Instrument | |
Посмотреть
(67KB)
|
Метаданные | |
Рецензия
Для цитирования:
Чукита В.И., Сенокосов Э.А., Фещенко В.С. Стенд для исследования позиционно-чувствительного фотоприемника. Russian Technological Journal. 2019;7(3):69-76. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2019-7-3-69-76
For citation:
Chukita V.I., Senokosov E.A., Feshchenko V.S. The Stand for Research of Positional-Sensitive Photosensor. Russian Technological Journal. 2019;7(3):69-76. (In Russ.) https://doi.org/10.32362/2500-316X-2019-7-3-69-76
Просмотров: 458
Послать статью по эл. почте 