Для цитирования:

Бакеренкова Д.М., Петров А.С. Влияние встраивания поверхностных состояний на стойкость мощных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов к электростатическому разряду. Russian Technological Journal. 2025;13(6):86-94. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2025-13-6-86-94. EDN: KOATTE

For citation:

Bakerenkova D.M., Petrov A.S. Interface traps build-up and its influence on electrostatic discharge robustness of high-power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. Russian Technological Journal. 2025;13(6):86-94. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2025-13-6-86-94. EDN: KOATTE