В работе описаны процессы получения растворов бинарных стеклообразных полупроводниковых материалов As2X3 (X = S, Se) и получения тонких пленок на их основе методом спин-коатинга. Исходные материалы синтезированы из реактивов полупроводниковой степени чистоты методом прямого синтеза в вакуумированных кварцевых ампулах при максимальной температуре 750ºС и идентифицированы как стекла. Установлено, что полученные аморфные тонкие пленки имеют островковую структуру. Толщина пленки трисульфида мышьяка может варьироваться в пределах от 200 нм при средней шероховатости поверхности 0.7 нм до 2.5 мкм при средней шероховатости 100 нм; толщина пленки триселенида мышьяка может варьироваться в пределах от 200 нм (средняя шероховатость поверхности 8 нм) до 3 мкм (средняя шероховатость поверхности 200 нм). Исследованы оптические характеристик тонких пленок, в частности, оптическое пропускание в видимом диапазоне спектра. Установлена оптическая ширина запрещенной зоны полученных пленок с привлечением теоретической модели Тауца, разработанной для аморфных полупроводников. Выполнено сравнение экспериментальных результатов с литературными данными.