mireabulletinRussian Technological JournalRussian Technological Journal2782-32102500-316XRTU MIREA10.32362/2500-316X-2016-4-3-11-17mireabulletin-20Research ArticleСтатьиТЕХНОЛОГИЯ ЛАЗЕРНОЙ РЕЗКИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН НА КРИСТАЛЛЫ ОРГАНИЧЕСКИХ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВTECHNOLOGY OF LASER CUTTING OF SILICON WAFERS INTO ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE CHIPSКондратенкоВ. С.KondratenkoV. S.noemail@neicon.ruИвановВ. И.IvanovV. I.ivi061@gmail.comМосковский технологический университетРоссияMoscow Тechnological UniversityRussian Federation201628062016431117Copyright © Кондратенко В.С., Иванов В.И., 20162016Кондратенко В.С., Иванов В.И.Kondratenko V.S., Ivanov V.I.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.rtj-mirea.ru/jour/article/view/20

В статье рассматриваются вопросы качества кристаллов в производстве микродисплеев на органических светоизлучающих диодах (ОСИД или OLED) после лазерного разделения. Данная работа направлена на увеличение выхода годных изделий при разрезании кремниевой приборной пластины на кристаллы методом лазерного управляемого термораскалывания (ЛУТ).

The article deals with the matter of crystal quality in the production of microdisplays based on organic light-emitting diodes (OLEDs) after separation. This work aimed at increasing the product yield in cutting a silicon device wafer into chips by a method based on laser controlled thermocracking (LCT). This paper considers the laser processes performed on a laser system RT-350 assessed by the heating effect on OLED structures. Data for rating the merit of the surfaces of chips after the laser controlled thermocracking and dicing, namely, the availability and size of the chipping, as well as surface roughness are presented and compared. The authors substantiated the possibility of increasing efficiency and quality in the process of cutting silicon device wafers with a thickness of 725 microns into OLEDs for microdisplays production.

микродисплеилазерное управляемое термораскалывание (ЛУТ)органические светоизлучающие диоды (ОСИД или OLED)разрезание кремниевых приборных пластин на кристаллыferroelectricthin filmPZTmodelingdisturbed layerdead layerReferencesMaluf N., Williams K. An Introduction to Microelectromechanical Systems Engineering. Boston: Artech House, 2004.Maluf N., Williams K. An Introduction to Microelectromechanical Systems Engineering. Boston: Artech House, 2004.Sullivan S. Handbook of Silicon Based MEMS Materials and Technologies. Oxford: Elsevier, 2010. Chapter 41. P. 601-606.Sullivan S. Handbook of Silicon Based MEMS Materials and Technologies. Oxford: Elsevier, 2010. Chapter 41. P. 601-606.Грачев О.А., Иванов В.И., Кондрацкий Б.А., Усов Н.Н. [и др.] Исследование и разработка технологии создания активно-матричных микродисплеев на основе органи- ческих светодиодов (ОСИД) // Нанотехника. 2014. № 2 (38). C. 43-45.Грачев О.А., Иванов В.И., Кондрацкий Б.А., Усов Н.Н. [и др.] Исследование и разработка технологии создания активно-матричных микродисплеев на основе органи- ческих светодиодов (ОСИД) // Нанотехника. 2014. № 2 (38). C. 43-45.Schoenfelder S., Ebert M., Landesberger C., Bock K., Bagdahn J. Investigations of the influence of dicing techniques on the strength properties of thin silicon // Microelectronics Reliability. 2007. V. 47 (2-3). P. 168-178.Schoenfelder S., Ebert M., Landesberger C., Bock K., Bagdahn J. Investigations of the influence of dicing techniques on the strength properties of thin silicon // Microelectronics Reliability. 2007. V. 47 (2-3). P. 168-178.Иванов В.И. Методы резки кремниевых приборных пластин на чипы в производстве органических микродисплеев // Интернет-журнал «Науковедение». 2014. № 4 (23). [Электронный ресурс]. - Режим доступа: www:naukovedenie.ru/PDF/87TVN414.pdf, сво- бодный. - Загл. с экрана.Иванов В.И. Методы резки кремниевых приборных пластин на чипы в производстве органических микродисплеев // Интернет-журнал «Науковедение». 2014. № 4 (23). [Электронный ресурс]. - Режим доступа: www:naukovedenie.ru/PDF/87TVN414.pdf, сво- бодный. - Загл. с экрана.Кондратенко В.С. Способ резки неметаллических материалов: патент № 2024441 РФ. - № 5030537; заявл. 02.04.1992; опубл. 15.12.1994. Бюл. 23.Кондратенко В.С. Способ резки неметаллических материалов: патент № 2024441 РФ. - № 5030537; заявл. 02.04.1992; опубл. 15.12.1994. Бюл. 23.Кондратенко В.С., Наумов А.С. Способ резки пластин из хрупких материалов: па- тент № 2404931 РФ. - № 2009132338/084; заявл. 28.08.2009; опубл. 27.11.2010. Бюл. 33.Кондратенко В.С., Наумов А.С. Способ резки пластин из хрупких материалов: па- тент № 2404931 РФ. - № 2009132338/084; заявл. 28.08.2009; опубл. 27.11.2010. Бюл. 33.Кондратенко В.С., Борисовский В.Е., Иванов В.И., Зобов А.К. Повышение эф- фективности процесса лазерной резки кремниевых приборных пластин на кристаллы ОСИД // Приборы. 2015. № 9 (183). С. 49.Кондратенко В.С., Борисовский В.Е., Иванов В.И., Зобов А.К. Повышение эф- фективности процесса лазерной резки кремниевых приборных пластин на кристаллы ОСИД // Приборы. 2015. № 9 (183). С. 49.Иванов В.И. Методы контроля качества кремниевых кристаллов с ОСИД после ла- зерной резки // Результаты научных исследований: сб. статей VII Междунар. науч.-практ. конф. (5 октября 2015 г., г. Екатеринбург). - Уфа: АЭТЕРНА, 2015. С. 43-48.Иванов В.И. Методы контроля качества кремниевых кристаллов с ОСИД после ла- зерной резки // Результаты научных исследований: сб. статей VII Междунар. науч.-практ. конф. (5 октября 2015 г., г. Екатеринбург). - Уфа: АЭТЕРНА, 2015. С. 43-48.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.