<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">mireabulletin</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Russian Technological Journal</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Russian Technological Journal</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">2782-3210</issn><issn pub-type="epub">2500-316X</issn><publisher><publisher-name>RTU MIREA</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.32362/2500-316X-2019-7-6-105-121</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">mireabulletin-185</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА. ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>MICRO- AND NANOELECTRONICS. CONDENSED MATTER PHYSICS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Термочувствительные тонкопленочные элементы на основе полуметаллов для приемников электромагнитного излучения</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Thin-film heat-sensitive elements on the basis of semimetals for electromagnetic radiation receivers</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Кик</surname><given-names>М. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kik</surname><given-names>Mikhail A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Кик Михаил Андреевич, старший научный сотрудник, кафедра квантовой электроники, физический факультет</p><p>119991, Россия, Москва, Ленинские горы, МГУ</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Mikhail A. Kik, Senior Researcher, Chair of Quantum Electronics, Physics Faculty</p><p>119991, Russia, Moscow, Russia, Leninskie gory</p></bio><email xlink:type="simple">prostokik@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Голоколенов</surname><given-names>И. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Golokolenov</surname><given-names>Ilya A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Голоколенов Илья Алексеевич, старший научный сотрудник</p><p>117334, Россия, Москва, ул. Косыгина, д. 2101000, Россия, Москва, Мясницкая ул., д. 20</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Ilya A. Golokolenov, Senior Researcher</p><p>2, ul. Kosygina, Moscow 119334, Russia;20, Myasnitskaya ul., Moscow 101000, Russia</p></bio><email xlink:type="simple">undante@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Сигов</surname><given-names>А. С.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Sigov</surname><given-names>Aleksandr S.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Сигов Александр Сергеевич, академик РАН, доктор физ.-мат. наук, президент, Scopus Author ID 35557510600, ResearcherID L-4103-2017</p><p>119454, Россия, Москва, пр-т Вернадского, д. 78</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Aleksandr S. Sigov, Academician, Dr. of Sci. (Phys.-Math.), President of the MIREA, Scopus Author ID 35557510600, ResearcherID L-4103-2017</p><p>78, Vernadskogo pr., Moscow 119454, Russia</p></bio><email xlink:type="simple">sigov@mirea.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-3"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Шиляев</surname><given-names>А. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Shilyaev</surname><given-names>Anatoly A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Шиляев Анатолий Алексеевич, кандидат физ.-мат. наук, ведущий научный сотрудник; старший научный сотрудник</p><p>119991, Россия, Москва, ул. Косыгина, д. 4119454, Россия, Москва, пр-т Вернадского, д. 78</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Anatoly A. Shilyaev, Cand. of Sci. (Phys.-Math.), Leading Researcher; Senior Researcher</p><p>4, ul. Kosygina, Moscow 119991, Russia; 78, Vernadskogo pr., Moscow 119454, Russia</p></bio><email xlink:type="simple">marnya3491@yandex.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-4"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Завьялов</surname><given-names>В. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Zavyalov</surname><given-names>Vitaly V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Завьялов Виталий Вадимович, кандидат физ.-мат. наук, старший научный сотрудник</p><p>117334, Россия, Москва, ул. Косыгина, д. 2101000, Россия, Москва, Мясницкая ул., д. 20</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Vitaly V. Zavyalov, Cand. of Sci. (Phys.-Math.), Senior Researcher</p><p>2, ul. Kosygina, Moscow 119334, Russia;20, Myasnitskaya ul., Moscow 101000, Russia</p></bio><email xlink:type="simple">v_zav@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Вербицкий</surname><given-names>С. С.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Verbitsky</surname><given-names>Sergey S.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Вербицкий Сергей Сергеевич, кандидат физ.-мат. наук, старший научный сотрудник</p><p>119991, Россия, Москва, ул. Косыгина, д. 4</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Sergey S. Verbitsky, Cand. of Sci. (Phys.-Math.), Senior Researcher</p><p>4, ul. Kosygina, Moscow 119991, Russia</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-5"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Целебровский</surname><given-names>А. Н.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Tselebrovsky</surname><given-names>Aleksey N.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Целебровский Алексей Николаевич, кандидат физ.-мат. наук, старший научный сотрудник</p><p>119991, Россия, Москва, ул. Косыгина, д. 4</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Aleksey N. Tselebrovsky, Cand. of Sci. (Phys.-Math.) Senior Researcher</p><p>4, ul. Kosygina, Moscow 119991, Russia</p></bio><email xlink:type="simple">anzeleb@gmail.com</email><xref ref-type="aff" rid="aff-5"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Lomonosov Moscow State University</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН;&#13;
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>P.L. Kapitza Institute for Physical Problems, Russian Academy of Sciences;&#13;
National Research University Higher School of Economics</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-3"><aff xml:lang="ru"><institution>МИРЭА – Российский технологический университет</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>MIREA – Russian Technological University</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-4"><aff xml:lang="ru"><institution>МИРЭА – Российский технологический университет;&#13;
Федеральный исследовательский центр химической физики им. Н.Н. Семенова РАН</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>MIREA – Russian Technological University;&#13;
N.N. Semenov Institute of Chemical Physics, Russian Academy of Sciences</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-5"><aff xml:lang="ru"><institution>Федеральный исследовательский центр химической физики им. Н.Н. Семенова РАН</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>N.N. Semenov Institute of Chemical Physics, Russian Academy of Sciences</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2019</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>10</day><month>01</month><year>2020</year></pub-date><volume>7</volume><issue>6</issue><fpage>105</fpage><lpage>121</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Кик М.А., Голоколенов И.А., Сигов А.С., Шиляев А.А., Завьялов В.В., Вербицкий С.С., Целебровский А.Н., 2020</copyright-statement><copyright-year>2020</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Кик М.А., Голоколенов И.А., Сигов А.С., Шиляев А.А., Завьялов В.В., Вербицкий С.С., Целебровский А.Н.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Kik M.A., Golokolenov I.A., Sigov A.S., Shilyaev A.A., Zavyalov V.V., Verbitsky S.S., Tselebrovsky A.N.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://www.rtj-mirea.ru/jour/article/view/185">https://www.rtj-mirea.ru/jour/article/view/185</self-uri><abstract><p>В статье представлены обобщенные результаты работ авторов по исследованию тонких пленок полуметаллов, которые можно использовать при разработке универсальных приемников электромагнитного излучения. Показано, что тонкопленочные материалы на основе полуметаллов обладают высокой термочувствительностью, низким уровнем собственных шумов и повышенным коэффициентом поглощения излучения в миллиметровой области спектра. Образцы пленок висмута и системы висмут–сурьма были получены методом вакуумно-термического напыления. Было проведено исследование термоэлектрических свойств тонких пленок системы висмут–сурьма в интервале температур от температуры жидкого гелия до комнатной, с целью применения данных пленок в виде чувствительного элемента болометрического типа в диапазоне от инфракрасного до радиочастотного. Представлены схема и описание экспериментальной установки для измерения вольтамперных характеристик и величины сопротивления образцов в интервале температур 1.4–400 K. В ходе исследования были получены вольтамперные характеристики и зависимости сопротивления образцов пленок толщиной 80 и 20 нм от температуры. Были измерены характеристики изготовленного макетного приемника и на их основе сделаны оценочные расчеты по возможности разработки приемников болометрического типа с повышенной пороговой чувствительностью. Измерена пороговая чувствительность (NEP – Noise Equivalent Power) изготовленных приемников на частоте 147 ГГц, которая при комнатной температуре составляет ≈(0.3÷1)∙10–9 В Гц1/2 и может быть существенно улучшена при охлаждении приемника до температур жидкого азота и жидкого гелия.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The paper presents the generalized results of the authors’ work on the study of thin films of semimetals, which can be used in the development of universal electromagnetic radiation receivers. It is shown that thin-film materials based on semimetals have high thermal sensitivity, low intrinsic noise and an increased absorption coefficient of radiation in the millimeter region of the spectrum. Samples of bismuth films and bismuth–antimony films were obtained by vacuum thermal spraying. A study was made on the thermoelectric properties of bismuth–antimony thin films in the range from liquid helium temperature to room temperature in order to use these films as a bolometric type sensitive element in the range from infrared to radio frequency. A scheme and description of experimental installations for measuring current-voltage characteristics and determining the resistance of samples in the temperature range 1.4–400 K are presented. In the course of the study, the current-voltage characteristics and the temperature dependences of the resistance of film samples with a thickness of 80 and 20 nm were obtained. The characteristics of the manufactured prototype receiver were measured and used as a basis for estimating the possibility of developing bolometric-type receivers with increased NEP (Noise Equivalent Power). The NEP of the manufactured receivers at a frequency of 147 GHz was measured at room temperature and appeared to be ≈(0.3÷1)∙10–9 Hz1/2. This NEP value can be improved by cooling the receiver to liquid nitrogen or helium temperatures.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>излучение миллиметрового диапазона</kwd><kwd>болометрический приемник</kwd><kwd>пленки полуметаллов</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>millimeter wave radiation</kwd><kwd>bolometer</kwd><kwd>films of semimetals</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Андрюшин С.Я., Кравченко Н.В., Кулыманов А.В., Либерова Г.В., Таубкин И.И., Тришенков М.А., Филачев А.М., Эскин Ю.М. Состояние разработок микроболометрических матриц в Государственном научном центре «НПО Орион» // Прикладная физика. 2000. № 5. С. 5–17.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Andryushin S.Ya., Kravchenko N.V., Kulymanov A.V., Liberova G.V., Taubkin I.I., Trishenkov M.A., Filachev A.M., Eskin Yu.M. The state of development of microbolometric matrices at the State Scientific Center “NPO Orion”. Prikladnaya fizika = Applied Physics. 2000;5:5-17 (in Russ.).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Тарасов В.В., Якушенков Ю.Г. Инфракрасные системы «смотрящего типа». М.: «ЛОГОС», 2004. 443 c.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Tarasov V.V., Yakushenkov Yu.G. “Looking type” infrared systems. M.: LOGOS Publ., 2004. 443 p. (in Russ.).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Lianjun Sun, Benkang Chang, Junju Zhang. Analysis and measurement of thermal-electrical performance of microbolometer detector // Proceedings of the SPIE. 2007. V. 6782. Optoelectronic Materials and Devices II, 678231. https://doi.org/10.1117/12.745347</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Lianjun Sun, Benkang Chang, Junju Zhang. Analysis and measurement of thermal-electrical performance of microbolometer detector. In: Proceedings of the SPIE. 2007. V. 6782. Optoelectronic Materials and Devices II, 678231. https://doi.org/10.1117/12.745347</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Ufuk Senveli S., Yusuf Tanrikulu M., Tayfun Akin. A thermal conductance optimization approach for uncooled microbolometers // Proceedings SPIE. 2011. V. 8012. Infrared Technology and Applications XXXVII, 80121T. https://doi.org/10.1117/12.890234</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Ufuk Senveli S., Yusuf Tanrikulu M., Tayfun Akin. A thermal conductance optimization approach for uncooled microbolometers. In: Proceedings SPIE. 2011. V. 8012. Infrared Technology and Applications XXXVII, 80121T. https://doi.org/10.1117/12.890234</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Dumas M.J., Lail B.A. A parametric analysis of microbolometer pixel designs // Proceedings SPIE. 2011. V. 8155. Infrared Sensors, Devices and Applications, Single Photon Imaging II, 815517. https://doi.org/10.1117/12.894170</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Dumas M.J., Lail B.A. A parametric analysis of microbolometer pixel designs. In: Proceedings SPIE. 2011. V. 8155. Infrared Sensors, Devices and Applications, Single Photon Imaging II, 815517. https://doi.org/10.1117/12.894170</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Sun L., Chang B., Zhang J., Qian Y., Qiu Y. Thermal and electrical performance of α-Si microbolometer focal plane arrays» // Proceedings SPIE. 2007. V. 6423. 64232D. https://doi.org/10.1117/12.779855</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Sun L., Chang B., Zhang J., Qian Y., Qiu Y. Thermal and electrical performance of α-Si microbolometer focal plane arrays. In: Proceedings SPIE. 2007. V. 6423. 64232D. https://doi.org/10.1117/12.779855</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Gauntt J.Li, Cabarcos O.M., Basantani H.A., Venkatasubramanian C., Bharadwaja S.S.N. Microstructure of vanadium oxide used in microbolometers // Proceedings SPIE. 2011. V. 8012. Infrared Technology and Applications XXXVII, 80123T. https://doi.org/10.1117/12.884161</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Gauntt J.Li, Cabarcos O.M., Basantani H.A., Venkatasubramanian C., Bharadwaja S.S.N. Microstructure of vanadium oxide used in microbolometers. In: Proceedings SPIE. 2011. V. 8012. Infrared Technology and Applications XXXVII, 80123T. https://doi.org/10.1117/12.884161</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Luukanen A., Miller A.J. and Grossman E.N. Passive hyperspectral terahertz imagery for security screening using a cryogenic microbolometer // Proceedings SPIE. 2005. 5789. P. 127–134. https://doi.org/10.1117/12.608838</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Luukanen A., Miller A.J. and Grossman E.N. Passive hyperspectral terahertz imagery for security screening using a cryogenic microbolometer. In: Proceedings SPIE. 2005. V. 5789. P. 127-134. https://doi.org/10.1117/12.608838</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Прохоров А.М., Шиляев А.А., Валиев К.А. и др. Датчик для регистрации плотности потока энергии электромагнитного излучения. Авторское свидетельство № 1225342, декабрь 1985.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Prokhorov A.M., Shilyaev A.A., Valiev K.A. [et al.] A sensor for detecting the energy flux density of electromagnetic radiation. Copyright certificate No. 1225342, December 1985.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Емохонов В.Н., Клягин А.С., Тальрозе В.Л., Шиляев А.А. Приемник электромагнитного излучения: патент 1 825 246 РФ. № 4641108/25; заявл. 26.12.1988; опубл. 10.04.1995.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Emokhonov V.N., Klyagin A.S., Talrose V.L., Shilyaev A.A. Electromagnetic radiation receiver: patent RU 1825246. No. 4641108/25; filled December 24, 1988; publ. October 04, 1995.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кик М.А., Шиляев А.А., Сигов А.С., Шампаров Е.Ю., Завьялов В.В., Богомолов Г.Д., Емохонов В.Н., Терехова Е.В., Шиляева А.А., Денискин В.В. Широкополосный измерительный приемник излучения миллиметрового диапазона с независимой калибровкой: патент 2 616 721 РФ. № 2015154123; заявл. 17.12.2015.; опубл. 18.04.2017. Бюл. № 11.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kik M.A., Shilyaev A.A., Sigov A.S., Shamparov E.Yu., Zavyalov V.V., Bogomolov G.D., Emokhonov V.N., Terekhova E.V., Shilyaeva A.A., Deniskin V.V. Independently calibrated millimeter-wave radiation measuring receiver: patent 2 616 721 RF (in Russ.).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Комник Ю.Ф. Физика металлических плёнок. M.: Атомиздат, 1979. 263 c.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Komnik Yu.F. Physics of metal films. M.: Atomizdat Publ., 1979. 263 p. (in Russ.).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кик М.А., Шиляев А.А., Сигов А.С., Емохонов В.Н., Завьялов В.В., Шампаров Е.Ю., Денискин В.В. Приемник для измерения мощности электромагнитного излучения в широком диапазоне длин волн. // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2015. Т. 15. № 4. С. 164–169.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kik M.A., Shilyaev A.A., Sigov A.S., Emokhonov V.N., Zav’yalov V.V., Shamparov E.Yu., Deniskin V.V. A receiver for measuring the power of electromagnetic radiation in a wide range of wavelengths. Fundamental’nye problemy radioelektronnogo priborostroyeniya = Fundamental problems of radioengineering and device construction. 2015;15(4):164-169 (in Russ.).</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
