<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">mireabulletin</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Russian Technological Journal</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Russian Technological Journal</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">2782-3210</issn><issn pub-type="epub">2500-316X</issn><publisher><publisher-name>RTU MIREA</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.32362/2500-316X-2019-7-3-69-76</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">mireabulletin-157</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>АНАЛИТИЧЕСКОЕ ПРИБОРОСТРОЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИ</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Стенд для исследования позиционно-чувствительного фотоприемника</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>The Stand for Research of Positional-Sensitive Photosensor</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Чукита</surname><given-names>В. И.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Chukita</surname><given-names>V. I.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>старший преподаватель кафедры твердотельной электроники и микроэлектроники,</p><p>MD -3300, ПМР, Тирасполь, ул. 25 Октября, д. 128</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Senior Lecturer of the Chair of Solid-State Electronics and Microelectronics</p><p>128, 25th of October st., Tiraspol MD-3300, PMR</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Сенокосов</surname><given-names>Э. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Senokosov</surname><given-names>E. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой твердотельной электроники и микроэлектроники</p><p>MD-3300, ПМР, Тирасполь, ул. 25 Октября, д. 128</p></bio><bio xml:lang="en"><p>D.Sc. (Phys. and Mathem.), Professor, Head of the Chair of Solid-State Electronics and Microelectronics</p><p>128, 25th of October st., Tiraspol MD-3300, PMR</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Фещенко</surname><given-names>В. С.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Feshchenko</surname><given-names>V. S.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>доктор технических наук, доцент, начальник научно-производственной лаборатории № 1</p><p>121108, Россия, Москва, ул. Ивана Франко, д. 4</p></bio><bio xml:lang="en"><p>D.Sc. (Engineering), Associate Professor, Head of the Research and Production Laboratory № 1</p><p>4, Ivan Franko st., Moscow 121108, Russia</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Shevchenko Pridnestrovian State University</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>ООО «Производственно-технологический центр «УралАлмазИнвест»</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Production-Technological Center «UralAlmazInvest», Ltd.</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2019</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>08</day><month>06</month><year>2019</year></pub-date><volume>7</volume><issue>3</issue><fpage>69</fpage><lpage>76</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Чукита В.И., Сенокосов Э.А., Фещенко В.С., 2019</copyright-statement><copyright-year>2019</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Чукита В.И., Сенокосов Э.А., Фещенко В.С.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Chukita V.I., Senokosov E.A., Feshchenko V.S.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://www.rtj-mirea.ru/jour/article/view/157">https://www.rtj-mirea.ru/jour/article/view/157</self-uri><abstract><p>В работе рассмотрены позиционно – чувствительные фотоприемники (ПЧФ), которые предназначены для обнаружения источника электромагнитного излучения оптического диапазона и определения координаты облучаемой области в режиме реального времени, а также слежения за движущимися оптическими объектами. Приведены данные о фотоприёмниках на основе фоточувствительных эпитаксиальных слоев CdSe/Слюда, имеющих нетрадиционную схему расположения и коммутации электрических контактов. Выходным сигналом таких ПЧФ является поперечная разность потенциалов, которая возникает между двумя его контактами после засветки одной из областей фотоприемника. Они могут составить альтернативу или конкуренцию существующим фотоэлементам в связи с высокой точностью, быстродействием, простоте изготовления и дешевизне. Однако для широкого применения ФЧП существуют существенные препятствия, в частности, аналоговый тип выходного сигнала, а также трудности «ручной» калибровки вновь изготовленного фотоприёмника, которая занимает длительное время. Нами разработан стенд для исследования позиционно – чувствительных фотоприемников, который позволяет оцифровывать сигнал, получаемый с фотоприёмника, в режиме реального времени, с высокой точностью определять координаты облученной области на фотоприёмнике и исследовать такие его характеристики, как заданное значение темнового тока фотоприемника, световой ток при определенной освещенности, выходное напряжение. На стенде проведены исследования позиционно – чувствительных фотоприемников на основе системы CdS/Слюда и показано, что измеренные характеристики и параметры фотоприёмников совпадают с теоретическими в пределах погрешности. Даны рекомендации по применению стенда.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The paper considers position-sensitive photodetectors (PSP), which are designed to detect the source of electromagnetic radiation in the optical range and determine the coordinates of the irradiated area in real time, as well as to track moving optical objects. In particular, data are presented on photodetectors based on photosensitive epitaxial CdSe/mica layers with an unconventional layout and switching of electrical contacts. The output signal of such PSP is the transverse potential difference that appears between its two contacts after exposure of one of the areas of the photodetector. These PSPs can be an alternative or competition to existing photocells due to high accuracy, speed, ease of manufacture and low cost. But there are significant obstacles for their wide application. First, it is an analog type of output signal, which prevents its further processing. And, second, it is difficult to calibrate “manually” a newly made photosensor: it takes a long time associated with the accumulation and processing of large amounts of data. The introduction of computer technology and the creation of an information-measuring system allow us to process the output signals of such photodetectors with high accuracy and speed in  real time. To solve this problem we have developed a stand for the study of position-sensitive photodetectors, which is presented in this paper. This stand allows digitizing the signal received from the photodetector, in real time, with high accuracy to determine the coordinates of the irradiated area on the photodetector and explore its characteristics such as the specified value of the dark current of the photodetector, light current at a certain illumination, and output voltage. At this stand, position-sensitive photodetectors based on the CdS/mica system were studied. It is shown that the characteristics and parameters of photoreceivers measured on this stand coincide with theoretical ones, within the error limits. Recommendations on the use of the standare given.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>эпитаксиальный слой</kwd><kwd>позиционно-чувствительный фотоприемник</kwd><kwd>эквипотенциальная линия тока</kwd><kwd>микроконтроллер</kwd><kwd>дельта-сигма аналого-цифровой преобразователь</kwd><kwd>электронный коммутатор</kwd><kwd>программируемый усилитель</kwd><kwd>индикаторное устройство</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>epitaxial layer</kwd><kwd>position-sensitive photodetector</kwd><kwd>equipotential current line</kwd><kwd>microcontroller</kwd><kwd>delta-sigma analog-to-digital converter</kwd><kwd>electronic switch</kwd><kwd>programmable amplifier</kwd><kwd>indicator device</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Dorf R.C., Bishop R.H. Modern Control Systems. New Jersey: Prentice Hall, Inc., 2017. 1032 p.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Dorf R.C., Bishop R.H. Modern Control Systems. New Jersey: Prentice Hall, Inc., 2017. 1032 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Handbook of Optical Sensors / Eds. J.L. Santos, F. Farahi. Boca Raton: CRC Press, 2014. 718 p.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Handbook of Optical Sensors. Eds. J.L. Santos, F. Farahi. Boca Raton: CRC Press, 718 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Горн Л.С., Хазанов Б.И. Позиционно-чувствительные детекторы. М.: Энергоиздат, 1982. 64 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Gorn L.S., Khazanov B.I. Position-Sensitive Photodetectors. Мoscow: Energoizdat Publ., 1982. 64 p. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Сенокосов Э.А., Чукита В.И., Хамидуллин Р.А., Чебан В.Н., Один И.Н., Чукичев М.В. Экспериментальное и теоретическое исследование характеристик позиционно-чувствительных фотоприемников на основе эпитаксиальных слоев n-CdSe/слюда // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. Вып. 5. С. 689–694. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44430.8406</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Senokosov E.A., Chukita V.I., Khamidulin R.A., Cheban V.N., Odin I.I., Chukichev M.V. Experimental and theoretical studies of the characteristics of the position-sensitive photodetectors on the basis of epitaxial layers of the n-CdSe/mica. Fizika i tekhnika poluprovodnikov (Semiconductors/Physics of the Solid State). 2017; 51(5):689-694. (in Russ.). DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44430.8406</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Senokosov E.A., Chukita V.I., Khamidullin R.A., Cheban V.N., Odin I.N., Chukichev M.V. Position sensitivity characteristics of n-CdSe epitaxial layers grown on mica crystals in a quasi-clozed system // Inorg. Mater. 2016. V. 52. № 8. P. 762–764. DOI: 10.1134/S002016851608015X</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Senokosov E.A., Chukita V.I., Khamidullin R.A., Cheban V.N., Odin I.N., Chukichev M.V. Position sensitivity characteristics of n-CdSe epitaxial layers grown on mica crystals in a quasi-clozed system. Inorg. Mater. 2016; 52(8):762-764. DOI: 10.1134/S002016851608015X</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Битюков В.К., Иванов А.А., Миронов А.В., Михневич Н.Г., Перфильев В.С., Петров В.А. Стенд для исследования характеристик микросхем источников вторичного электропитания с накачкой заряда // Российский технологический журнал. 2016. Т. 4. № 3. С. 37–52.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Bityukov V.K., Ivanov А.А., Mironov А.V., Mikhnevich N.G., Perfiliev V.S., Petrov V.А. Stand for studying the characteristics of chips of secondary power sources with charge pumping. Rossiyskiy tekhnologicheskiy zhurnal (Russian Technological Journal). 2016; 4(3):37-52. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Бугадян И.Ф., Дубровин В.Ф. Автоматизированный стенд для исследования волновых процессов // Вестник МГТУ МИРЭА. 2014. № 4. С. 223–237.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Bugadyan I.F., Dubrovin V.F. Automated stand for the study of wave processes. Vestnik MGTU MIREA (Herald of the MSTU MIREA). 2014; (4):223-237. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Бараночников М.Л. Приемники и детекторы излучения. Справочник. М.: ДМК Пресс, 2012. 640 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Baranochnikov М.L. Receivers and radiation detectors. Handbook. Мoscow: DMK Press Publ., 2012. 640 p. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Сенокосов Э.А., Клюканов А.А., Усатый А.Н., Сергеев С.А., Федоров В.М. Устройство для регистрации слабых световых сигналов: А.с. СССР № 1436796, приоритет от 12.08.86, опубл. 08.07.88.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Senokosov E.A., Klukanov А.А., Usatiy А.N., Sergeev S.A., Fedorov V.M. Device for registration weak light signals: USSR Inventor’s Certificate no. 1 436 796, 1988. Priority from 08/12/1986. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Клюканов А.А., Сенокосов Э.А., Усатый А.Н., Федоров В.М. Устройство для определения координаты светового пятна: А.c. СССР № 1499119, приоритет от 07.01.87, опубл. 07.08.89.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Klukanov А.А., Senokosov E.A., Usatiy А.N., Fedorov V.M. Device for determining the coordinates of the light spot: USSR Inventor’s Certificate no. 1 499 119, 1989. Priority from 01/01/1987. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru"></mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
